Gehäuse: TO236AB. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 40V. Drainstrom im Impuls: 8A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Drainstrom: 1,5A. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Bereitschaftszeit: 72ns. Gehäuse: TO263. Polarisierung: unipolar. Drainstrom: 180A. Drain-Source Spannung: 100V. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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LR2905 (IRLR2905). Canale N - HEXFET Power MOSFET. Mosfet SMD.
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S9012 - 2T1. Lotto di N. 10 Transistors S9012 - 2T1 PNP in SOT-23 -. PNP General Purpose Transistor Amplifier.
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