Gehäuse: SO8. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 30V. Drainstrom: 7A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: SO8. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 30V. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Drainstrom: 12,5A. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: SOT323. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 60V. Transistor-Typ: N-MOSFET. Kanal-Art: stark. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Drainstrom im Impuls: 1A.
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Gehäuse: DPAK. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: -40V. Drainstrom: -32,5A. BELIEBTE KATEGORIEN. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Scheda Tecnica. Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore. Nota informativa I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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Technische Information BSS123. die Ware ist natürlich unbenutzt aber leider nicht RoHS-conform. 100 Stück SMD MOS-FET N-KanalBSS123.
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Gehäuse: DPAK. Polarisierung: unipolar. Drainstrom: 7A. Drain-Source Spannung: 600V. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Ausführung: ESD. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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