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Gehäuse: TO268. Polarisierung: unipolar. Drainstrom: 150A. Drain-Source Spannung: 300V. Transistor-Typ: N-MOSFET. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: SO8. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drain-Source Spannung: 30V. Drainstrom: 11A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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1 PEZZO Transistor FDD 6685 Mosfet P-Channel SMD. Nota: Nella maggior parte degli articoli sono disponibili piu' lotti.
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S8050 (marquage sur le boitier J3Y). data S8050. CMS SOT23 SMD SOT23. transistor NPN.
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Isolationsspannung: 3,75kV. Relais & schütze. Gehäuse: Mini-flat 4pin. Ausgangs-Art: Transistor. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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