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Gehäuse: TO263. Drain-Source Spannung: 650V. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom: 9A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: SO8. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 30V. Drainstrom: 20A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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1pezzo Ktc3785 2sc3785 transistor smd sot-23 sigla ALG. La condizione Nuovo.
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Produttore ONSEMI. Tipo del transistor IGBT. Corrente del collettore nel impulso 120A.
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Gehäuse: SO8. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 30V. Drainstrom: 7A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: DPAK. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom: 2,4A. Drain-Source Spannung: 600V. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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