• Gehäuse: DPAK •. Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A;. • Polarisierung: bipolar •. • Transistor-Typ: PNP •. • Kollektor-Emitter-Spannung: 80V •. • Kollektor-Emitter-Strom: 8A •. • Verlustleistung: 20W •.
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Gehäuse: DPAK. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom: 6,3A. Drain-Source Spannung: 100V. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: SOT363. Polarisierung: bipolar. Transistor-Typ: NPN x2. Kollektor-Emitter-Strom: 20mA. Transistor-Art: RF. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: SOT23. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drain-Source Spannung: 30V. Drainstrom: 5,8A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Ausführung: ESD.
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TRANSISTORS NPN e PNP.
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Lotto 20 pezzi transistor SMD 2A - 2N3906 SMD.
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Drainstrom im Impuls: 68A. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 200V. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom: 11A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: VSONP8. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 60V. Drainstrom: 100A. Transistor-Typ: N-MOSFET. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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