Gehäuse: SOT23. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom im Impuls: 25A. Drain-Source Spannung: 30V. Drainstrom: 8A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt.
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CTR@If: 19-50%@16mA. Isolationsspannung: 5kV. Ausgangs-Art: Transistor. Weitere technische Informationen finden Sie unter Informationen zur Produktsicherheit und Barrierefreiheit. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt.
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Gehäuse: TO252. Polarisierung: unipolar. Drainstrom: 2,7A. Drain-Source Spannung: 100V. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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SS8050 SMD Y1 Transistor NPN SOT-23. OGGETTO IN ITALIA.
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Kanal-Art: stark. Widerst im Leitungszust: 4Ω. Gate-Source Spannung: ±20V. Gehäuse: PG-SOT23. Verlustleistung: 0.5W.
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