Gehäuse: DPAK. Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV. Kollektor-Emitter-Strom: 5A. Kollektorstrom im Impuls: 12,5A. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: D2PAK. Kollektor-Emitter-Spannung: 650V. Kollektor-Emitter-Strom: 63A. Relais & schütze. BELIEBTE KATEGORIEN. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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MMBT5551 ( Mark G1 ). 160V 600mA. Vceo: 160V. Corrente 600mA. Transistor SMD. Transistor PNP.
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Corpo DPAK. Potenza dissipata 38W. Tipo del transistor P-MOSFET. Polarizzazione unipolare. Tecnologia HEXFET®.
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• Gehäuse: SOT223. • Polarisierung: bipolar. • Transistor-Typ: PNP. • Kollektor-Emitter-Spannung: 80V. • Verlustleistung: 1.5W. • Kollektor-Emitter-Strom: 1.5A. Unter dieser Stückzahl, lehnt unsere Software den Preisvorschlag automatisch ab.
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Gehäuse: SO5. Isolationsspannung: 3,75kV. Geschwindigkeit des Spannungsanstiegs: 20kV/μs. Ausgangs-Art: Transistor. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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