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Gehäuse: TO252. Polarisierung: unipolar. Drain-Source Spannung: 60V. Transistor-Typ: N-MOSFET. Kanal-Art: stark. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Drainstrom: 17,1A.
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Gehäuse: SOT23. Polarisierung: unipolar. Transistor-Typ: N-MOSFET. Drainstrom im Impuls: 25A. Drain-Source Spannung: 30V. Drainstrom: 8A. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt.
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ACQUISTANDO I NS. utilizzo anche parziale del bene e di eventuali materiali di consumo;. il diritto non si applica ai prodotti audiovisivi o a software informatici sigillati (compresi quelli allegati a materiale hardware), una volta aperti;.
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30pezzi MMBT3906 marcatura 2A transistor smd sot123 come foto.
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Gehäuse: SO16. Isolationsspannung: 3,75kV. Geschwindigkeit des Spannungsanstiegs: 10kV/μs. Ausgangs-Art: Transistor. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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