• Gehäuse: VSONP8 •. • Verlustleistung: 63W •. Transistor: N-MOSFET; unipolar;. • Polarisierung: unipolar •. • Drainstrom: 60A •. • Transistor-Typ: N-MOSFET •. • Drain-Source Spannung: 30V •. • Gate-Source Spannung: ±20V •.
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Tipo del transistor. IN VIA DI BACCANELLO,299E - CESANO DI ROMA. RITIRO A MANO. - Non siamo responsabili in caso di indirizzi non corretti. Non deve presentare segni di usura e di utilizzo. Acquistando l'oggetto accettate tutte le condizioni senza riserva.
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BJT Transistors: each type 50 pcs Schottky Diodes, each type 50 pcs MOSFET Transistors, each type 50 pcs Switching Diodes, each type 50 pcs 28 types, each type 50 pcs, total 1400 pcs. BAW56, Switching Diode, 70V.
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10 pezzi transistor SMD 3F - BC857B SMD.
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(versione smd del S8050). Transistor SMD.
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