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  1. Diodo: diodo di commutazione Schottky 0,12A 40V SMD SOD323 250mW

    Dioden-Typ: Schaltdiode Schottky. Gehäuse: SOD323. Rückspannung max.: 40V. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt.

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  2. Diodo: diodo raddrizzatore Schottky 40V SMD 0,2A SOT323

    Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: SOT323. Rückspannung max.: 40V. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.

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  3. Wolfspeed Diodo, Su foro, 10A, 1200V, TO-220, Diodo Schottky

  4. Diodo 0,5 A SOD123: diodo di commutazione Schottky rullo, banda 40 V SMD

    Dioden-Typ: Schaltdiode Schottky. Gehäuse: SOD123. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Info: Weitere Informationen finden Sie unter Informationen zur Produktsicherheit und Barrierefreiheit. Weitere technische Informationen finden Sie unter Informationen zur Produktsicherheit und Barrierefreiheit.

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  5. Diodo 100V SMD 5A: diodo raddrizzatore Schottky rullo, nastro SMC

    Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Weitere technische Informationen finden Sie unter Informationen zur Produktsicherheit und Barrierefreiheit. Strom im max. Impuls: 100A. Gehäuse: SMC. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt.

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  6. 👉 4x Diodo Schottky Raddrizzatore IR 8TQ100 100V 8A SMD

    IR 8TQ100 100V 8A. Diode Schottky Rectifier.

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  7. 100 PZ 1N5819 5819 1A 40V DIODO SCHOTTKY NUOVO

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  8. Rotolo SMD 3A, diodo a nastro: diodo raddrizzatore Schottky SMC 40V

    Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Weitere technische Informationen finden Sie unter Informationen zur Produktsicherheit und Barrierefreiheit. Rückspannung max.: 40V. Strom im max. Impuls: 100A.

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  9. Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 30V, DO-34, Diodo Schottky

  10. Diodo 5ns: diodo di commutazione Schottky 0,2A SMD 30V rotolo, nastro SOT23

    Dioden-Typ: Schaltdiode Schottky. Gehäuse: SOT23. Bereitschaftszeit: 5ns. Struktur des Halbleiters: doppelt. Weitere technische Informationen finden Sie unter Informationen zur Produktsicherheit und Barrierefreiheit.

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