• Gehäuse: DFN5x6D •. Transistor: N-MOSFET x2; unipolar;. • Polarisierung: unipolar •. • Drainstrom: 67/31A •. • Transistor-Typ: N-MOSFET x2 •. • Verlustleistung: 18/8W •. • Drain-Source Spannung: 30V •.
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