• Gehäuse: TO92 •. Transistor: NPN; bipolar; 30V; 4dB. • Geräuschfaktor: 4dB •. • Polarisierung: bipolar •. • Transistor-Typ: NPN •. • Kollektor-Emitter-Spannung: 30V •. • Verlustleistung: 350/1W •. • Kollektor-Emitter-Strom: 0.1A •.
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