fabbricante Infineon (IRF) Tipo di transistor N-MOSFET polarizzazione unipolare Tensione di drenaggio 55V Scarica corrente 98A Potere 150W alloggiamento TO247AC Tensione di ingresso-sorgente ± 20 V. Resistenza di conduzione 8mΩ montaggio THT Carico di ingresso 113.3nC tecnologia HEXFET®.
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