L'FDP18N50 è un MOSFET UniFET™ a canale N da 500 V basato su tecnologia DMOS e stripe planare. Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e fornire migliori prestazioni di commutazione e una maggiore forza energetica da valanga. Le prestazioni di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET® UniFET sono state migliorate dal controllo della durata. Il suo trr è inferiore a 100 ns e l'immunità dv/dt inversa è di 15 V/ns mentre i normali MOSFET planari hanno rispettivamente oltre 200 ns e 4,5 V/ns. Pertanto, può rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema in alcune applicazioni in cui le prestazioni del diodo body del MOSFET sono significative. Questa famiglia di dispositivi è adatta per applicazioni di convertitori di potenza a commut.
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